به تازگی ، تیم تحقیقاتی به سرپرستی استاد دانشیار Xu Shipu از دانشکده علوم و فناوری میکروالکترونیک در دانشگاه Sun Yat-Sen مطالعه ای با عنوان "اکتشاف هدایت دو بعدی در امتداد رابط Laalo₃/Srtio₃" برای سنجش فشار منتشر کرد.
The response mechanism of pressure sensors relies on the constitutive relationship between stress and strain gradients, with device sensitivity typically enhanced by reducing the thickness of sensing elements. However, thinning sensing units compromises robustness, making the development of pressure sensors combining high sensitivity and stability a cutting-edge challenge. This study innovatively employs the two-dimensional (2D) conductance در Laalo₃/Srtio₃ (LAO/STO) Heterointerface به عنوان یک واحد فشار سنج برای به طور همزمان بهینه سازی حساسیت و ثبات.
در ساخت ناهمگونی LAO/STO ، این تیم از رسوب لیزر پالس شده برای رشد فیلم های نازک لائوس در (001)-Srtio₃ (STO) استفاده می کند ، کنترل جو رسوب را برای معرفی جای خالی اکسیژن در طول رابط 2.}} magnetotransport-intransport-intransport-indrantist-intransport-indrantist-inde. با تجزیه و تحلیل رابطه غلظت حامل دما ، از این جای خالی اکسیژن.}} با تجزیه و تحلیل رابطه غلظت حامل دما ، انرژی یونیزاسیون کم 0}} 03 ولت را برای جای خالی اکسیژن محاسبه کرد ، که به طور مؤثر سطح فرمی LAO/STO را بالا می برد و ناهمگونی را با متالیک واگذار می کند.
The LAO/STO-based pressure sensor demonstrated stable performance over 100 repeated tests and exhibited a linear response to environmental pressure changes ranging from 25 Pa to 900 Pa, achieving a sensitivity of 2.9 × 10⁻⁶ Pa⁻¹. This work confirms that 2D conductance architectures can simultaneously enhance pressure-sensing sensitivity and stability, offering a promising solution for توسعه سنسور فشار نسل بعدی.